2N5401ZL1G
Osa numero:
2N5401ZL1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18786 Pieces
Tietolomake:
2N5401ZL1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2N5401ZL1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N5401ZL1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2N5401ZL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 5mA, 50mA
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:2N5401ZL1G
Taajuus - Siirtyminen:300MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):600mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit