2SA2169-TL-E
Osa numero:
2SA2169-TL-E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19425 Pieces
Tietolomake:
2SA2169-TL-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SA2169-TL-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SA2169-TL-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SA2169-TL-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:580mV @ 250mA, 5A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:2-TP-FA
Sarja:-
Virta - Max:950mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:2SA2169-TL-E-ND
2SA2169-TL-EOSTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:2SA2169-TL-E
Taajuus - Siirtyminen:130MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 10A 130MHz 950mW Surface Mount 2-TP-FA
Kuvaus:TRANS PNP 50V 10A TP-FA
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 1A, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):10A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit