2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
Osa numero:
2SC5706-P-E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 5A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17542 Pieces
Tietolomake:
2SC5706-P-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SC5706-P-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SC5706-P-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SC5706-P-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:240mV @ 100mA, 2A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TP
Sarja:-
Virta - Max:800mW
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:2SC5706-P-E
Taajuus - Siirtyminen:400MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
Kuvaus:TRANS NPN 100V 5A
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):5A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit