ALD111933PAL
ALD111933PAL
Osa numero:
ALD111933PAL
Valmistaja:
Advanced Linear Devices, Inc.
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13059 Pieces
Tietolomake:
ALD111933PAL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä ALD111933PAL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ALD111933PAL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa ALD111933PAL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.35V @ 1µA
Toimittaja Device Package:8-PDIP
Sarja:EPAD®
RDS (Max) @ Id, Vgs:500 Ohm @ 5.9V
Virta - Max:500mW
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Muut nimet:1014-1051
Käyttölämpötila:0°C ~ 70°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:ALD111933PAL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2.5pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Valua lähde jännite (Vdss):10.6V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit