Ostaa BLF6G20S-230PRN:11 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLF6G20S-230PRN:11
- Osa numero:
- BLF6G20S-230PRN:11
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17602 Pieces
- Tietolomake:
- BLF6G20S-230PRN:11.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLF6G20S-230PRN:11, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLF6G20S-230PRN:11 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | SOT539B |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 65W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT539B |
| Muut nimet: | 934064341118 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BLF6G20S-230PRN:11 |
| Saada: | 17.5dB |
| Taajuus: | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539B |
| Kuvaus: | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLF6G20S-230PRN:11
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-50BN,118 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | tiedustelu |
|
MRF6S21190HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI880S | tiedustelu |
|
BF1203,115 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | tiedustelu |
 |
BLF183XRU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A | tiedustelu |
|
BLF6G10LS-200,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | tiedustelu |
 |
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | tiedustelu |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | tiedustelu |
|
MRF8S26120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ NI780S | tiedustelu |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | tiedustelu |
|
ON5402,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 8SOIC | tiedustelu |
|
BLF6G10LS-200,118 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF7G22LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers