BSC117N08NS5ATMA1
BSC117N08NS5ATMA1
Osa numero:
BSC117N08NS5ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13661 Pieces
Tietolomake:
BSC117N08NS5ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSC117N08NS5ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC117N08NS5ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSC117N08NS5ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 22µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSC117N08NS5ATMA1-ND
BSC117N08NS5ATMA1TR
SP001295028
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:BSC117N08NS5ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:49A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit