BUK9Y19-55B,115
BUK9Y19-55B,115
Osa numero:
BUK9Y19-55B,115
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12311 Pieces
Tietolomake:
BUK9Y19-55B,115.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUK9Y19-55B,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUK9Y19-55B,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUK9Y19-55B,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±15V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:LFPAK56, Power-SO8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:17.3 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):85W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-100, SOT-669
Muut nimet:1727-4941-2
568-6235-2
568-6235-2-ND
934058366115
BUK9Y19-55B T/R
BUK9Y19-55B T/R-ND
BUK9Y19-55B,115-ND
BUK9Y1955B115
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BUK9Y19-55B,115
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1992pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 46A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit