Ostaa CE3512K2-C1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
CE3512K2-C1
- Osa numero:
- CE3512K2-C1
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15350 Pieces
- Tietolomake:
- CE3512K2-C1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä CE3512K2-C1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CE3512K2-C1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | pHEMT FET |
| Toimittaja Device Package: | 4-Micro-X |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 125mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 4-Micro-X |
| Muut nimet: | CE3512K2-C1TR |
| Noise Kuva: | 0.5dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | CE3512K2-C1 |
| Saada: | 13.7dB |
| Taajuus: | 12GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| Kuvaus: | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| Nykyinen arvostelu: | 15mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat CE3512K2-C1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | tiedustelu |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | tiedustelu |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | tiedustelu |
 |
CE3512K2 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | tiedustelu |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | tiedustelu |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | tiedustelu |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | tiedustelu |
 |
CE3514M4-C2 | CEL | RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343 | tiedustelu |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | tiedustelu |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | tiedustelu |
|
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | tiedustelu |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | tiedustelu |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | tiedustelu |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | tiedustelu |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers