CSD19538Q3AT
Osa numero:
CSD19538Q3AT
Valmistaja:
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16693 Pieces
Tietolomake:
CSD19538Q3AT.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä CSD19538Q3AT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CSD19538Q3AT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa CSD19538Q3AT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-VSONP (3x3.15)
Sarja:NexFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.8W (Ta), 23W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:296-44473-2
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:CSD19538Q3AT
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:454pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit