Ostaa CSD88539ND BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
CSD88539ND
- Osa numero:
- CSD88539ND
- Valmistaja:
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13361 Pieces
- Tietolomake:
- CSD88539ND.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä CSD88539ND, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CSD88539ND sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.6V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | NexFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5A, 10V |
| Virta - Max: | 2.1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | 296-37304-2 CSD88539ND-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | CSD88539ND |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 741pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat CSD88539ND
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDG1024NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 | tiedustelu |
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC | tiedustelu |
|
CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | tiedustelu |
|
CSD88537ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | tiedustelu |
|
CSD88537NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTMD6N02R2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO | tiedustelu |
 |
SP8M6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | tiedustelu |
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
FDS6912 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | tiedustelu |
 |
BUK7K8R7-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK | tiedustelu |
 |
IRF7351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC | tiedustelu |
|
DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers