Ostaa DMN1019UVT-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN1019UVT-13
- Osa numero:
- DMN1019UVT-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13362 Pieces
- Tietolomake:
- DMN1019UVT-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN1019UVT-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN1019UVT-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TSOT-26 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.73W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Muut nimet: | DMN1019UVT-13DI |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN1019UVT-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2588pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50.4nC @ 8V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN1019UVT-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | tiedustelu |
 |
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 | tiedustelu |
 |
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | tiedustelu |
 |
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | tiedustelu |
|
DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | tiedustelu |
 |
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | tiedustelu |
 |
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | tiedustelu |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | tiedustelu |
|
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | tiedustelu |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | tiedustelu |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers