Ostaa DMN2400UFB-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN2400UFB-7
- Osa numero:
- DMN2400UFB-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14125 Pieces
- Tietolomake:
- DMN2400UFB-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2400UFB-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2400UFB-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 3-X1DFN1006 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 550 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 470mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 3-XFDFN |
| Muut nimet: | DMN2400UFB-7DITR DMN2400UFB7 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN2400UFB-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.5nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN2400UFB-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 | tiedustelu |
 |
DMN2400UFDQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 | tiedustelu |
 |
DMN2400UFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 | tiedustelu |
 |
DMN2400UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 | tiedustelu |
|
DMN2400UFDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 | tiedustelu |
 |
DMN24H3D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 | tiedustelu |
 |
IRF6811STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | tiedustelu |
 |
IPP06CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | tiedustelu |
|
DMN24H3D5L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers