Ostaa DMN6013LFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN6013LFG-7
- Osa numero:
- DMN6013LFG-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18225 Pieces
- Tietolomake:
- DMN6013LFG-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN6013LFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN6013LFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI3333-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | DMN6013LFG-7DIDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN6013LFG-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2577pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Ta), 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN6013LFG-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN601TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 | tiedustelu |
 |
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | tiedustelu |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | tiedustelu |
 |
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | tiedustelu |
|
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | tiedustelu |
 |
DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 | tiedustelu |
|
DMN601WKQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V SOT323 | tiedustelu |
 |
DMN601DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 | tiedustelu |
 |
DMN601VKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 | tiedustelu |
|
DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 | tiedustelu |
 |
DMN601K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers