DMN6068SE-13
DMN6068SE-13
Osa numero:
DMN6068SE-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14485 Pieces
Tietolomake:
DMN6068SE-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN6068SE-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN6068SE-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN6068SE-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-223
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:68 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:DMN6068SE-13TR
DMN6068SE13
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN6068SE-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:502pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 4.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit