DMT3003LFG-13
Osa numero:
DMT3003LFG-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16173 Pieces
Tietolomake:
DMT3003LFG-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMT3003LFG-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT3003LFG-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMT3003LFG-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerDI3333-8
Sarja:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.4W (Ta), 62W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMT3003LFG-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2370pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.4W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit