DMTH6010LPSQ-13
DMTH6010LPSQ-13
Osa numero:
DMTH6010LPSQ-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12674 Pieces
Tietolomake:
DMTH6010LPSQ-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMTH6010LPSQ-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMTH6010LPSQ-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMTH6010LPSQ-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerDI5060-8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.6W (Ta), 136W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:DMTH6010LPSQ-13DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMTH6010LPSQ-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2090pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:41.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 13.5A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13.5A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit