Ostaa DSI30-12AC BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DSI30-12AC
- Osa numero:
- DSI30-12AC
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16539 Pieces
- Tietolomake:
- DSI30-12AC.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DSI30-12AC, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DSI30-12AC sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.45V @ 45A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS220™ |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS220™ |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | DSI30-12AC |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Through Hole ISOPLUS220™ |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 50µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 30A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DSI30-12AC
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI30-08AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | tiedustelu |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | tiedustelu |
 |
VS-40APS16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.6KV 40A TO247AC | tiedustelu |
 |
DSI30-08AC | IXYS | DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
1N4448WS-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 | tiedustelu |
 |
DSI30-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | tiedustelu |
|
DSI30-16A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | tiedustelu |
|
DSI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | tiedustelu |
|
DSI30-08AS | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | tiedustelu |
 |
1N5401-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | tiedustelu |
|
DSI30-16AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | tiedustelu |
 |
MBR1080 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO220-2 | tiedustelu |
 |
VS-70HFR40 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB | tiedustelu |
 |
SBLB10L25HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB | tiedustelu |
 |
IRD3CH42DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE | tiedustelu |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | tiedustelu |
 |
NRVUS240T3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A SMB | tiedustelu |
 |
EGP30C-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | tiedustelu |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | tiedustelu |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers