Ostaa FDC3601N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FDC3601N
- Osa numero:
- FDC3601N
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14968 Pieces
- Tietolomake:
- FDC3601N.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FDC3601N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDC3601N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SuperSOT™-6 |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 1A, 10V |
| Virta - Max: | 700mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Muut nimet: | FDC3601N-ND FDC3601NTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 9 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FDC3601N |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 153pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDC3601N
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDC3616N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6 | tiedustelu |
 |
SP8K2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRF9952TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
TT8J3TR | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET | tiedustelu |
 |
FDC3612_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT | tiedustelu |
 |
FDMS3668S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN | tiedustelu |
|
FDC365P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT | tiedustelu |
 |
XN0187200L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5 | tiedustelu |
 |
AON6926 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN | tiedustelu |
 |
FW813-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP | tiedustelu |
|
FDC3612 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6 | tiedustelu |
|
FDG6332C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | tiedustelu |
 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers