Ostaa FDME1034CZT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FDME1034CZT
- Osa numero:
- FDME1034CZT
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12889 Pieces
- Tietolomake:
- FDME1034CZT.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FDME1034CZT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDME1034CZT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Virta - Max: | 600mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | FDME1034CZT-ND FDME1034CZTFSTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FDME1034CZT |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.2nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.8A, 2.6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDME1034CZT
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4834BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | tiedustelu |
 |
FDME1024NZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET | tiedustelu |
|
FDME1023PZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET | tiedustelu |
 |
AO8804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
GWM120-0075X1-SMDSAM | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS | tiedustelu |
 |
BUK9M5R2-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V MLFPAK | tiedustelu |
 |
SP8K3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | tiedustelu |
|
BUK9M52-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK | tiedustelu |
 |
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R | tiedustelu |
 |
NTMD2C02R2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | tiedustelu |
 |
AO4850 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers