FDP8870_F085
Osa numero:
FDP8870_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13313 Pieces
Tietolomake:
1.FDP8870_F085.pdf2.FDP8870_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDP8870_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDP8870_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDP8870_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.1 mOhm @ 35A, 10V
Tehonkulutus (Max):160W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:FDP8870_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:132nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 156A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit