FQB9N25CTM
FQB9N25CTM
Osa numero:
FQB9N25CTM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15160 Pieces
Tietolomake:
FQB9N25CTM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQB9N25CTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQB9N25CTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQB9N25CTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:430 mOhm @ 4.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.13W (Ta), 74W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQB9N25CTM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 250V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Valua lähde jännite (Vdss):250V
Kuvaus:MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit