FQD2N30TM
FQD2N30TM
Osa numero:
FQD2N30TM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16597 Pieces
Tietolomake:
1.FQD2N30TM.pdf2.FQD2N30TM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQD2N30TM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD2N30TM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQD2N30TM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.7 Ohm @ 850mA, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 25W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQD2N30TM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 300V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):300V
Kuvaus:MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit