FQPF13N10
FQPF13N10
Osa numero:
FQPF13N10
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14669 Pieces
Tietolomake:
FQPF13N10.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQPF13N10, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQPF13N10 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQPF13N10 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220F
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 4.35A, 10V
Tehonkulutus (Max):30W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQPF13N10
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit