IPB080N03L G
IPB080N03L G
Osa numero:
IPB080N03L G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15260 Pieces
Tietolomake:
IPB080N03L G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB080N03L G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB080N03L G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB080N03L G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):47W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB080N03L GDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB080N03L G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit