Ostaa IPD100N06S403ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD100N06S403ATMA1
- Osa numero:
- IPD100N06S403ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13382 Pieces
- Tietolomake:
- IPD100N06S403ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD100N06S403ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD100N06S403ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 90µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3-11 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD100N06S4-03 IPD100N06S4-03-ND SP000415576 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPD100N06S403ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 128nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD100N06S403ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL520LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | tiedustelu |
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 | tiedustelu |
 |
IPD100N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 | tiedustelu |
 |
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | tiedustelu |
|
IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 | tiedustelu |
 |
ZVN3320ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
IPD10N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | tiedustelu |
|
IPD10N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR3708TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | tiedustelu |
|
IPD105N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers