IPI77N06S3-09
IPI77N06S3-09
Osa numero:
IPI77N06S3-09
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18418 Pieces
Tietolomake:
IPI77N06S3-09.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI77N06S3-09, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI77N06S3-09 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI77N06S3-09 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 55µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.1 mOhm @ 39A, 10V
Tehonkulutus (Max):107W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:IPI77N06S3-09-ND
IPI77N06S3-09IN
IPI77N06S309X
IPI77N06S309XK
SP000088716
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPI77N06S3-09
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5335pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:77A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit