IPP055N03LGXKSA1
IPP055N03LGXKSA1
Osa numero:
IPP055N03LGXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13225 Pieces
Tietolomake:
IPP055N03LGXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP055N03LGXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP055N03LGXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP055N03LGXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO-220-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):68W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPP055N03LGXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit