IPP65R190CFDXKSA1
IPP65R190CFDXKSA1
Osa numero:
IPP65R190CFDXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18366 Pieces
Tietolomake:
IPP65R190CFDXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP65R190CFDXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP65R190CFDXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP65R190CFDXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 730µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO-220-3
Sarja:CoolMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 7.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):151W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:IPP65R190CFDXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit