IPP80N06S207AKSA1
IPP80N06S207AKSA1
Osa numero:
IPP80N06S207AKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13190 Pieces
Tietolomake:
IPP80N06S207AKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP80N06S207AKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP80N06S207AKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP80N06S207AKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 180µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220-3-1
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 68A, 10V
Tehonkulutus (Max):250W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPP80N06S207AKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit