IRF3315LPBF
IRF3315LPBF
Osa numero:
IRF3315LPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14260 Pieces
Tietolomake:
IRF3315LPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3315LPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3315LPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF3315LPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-262
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:82 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.8W (Ta), 94W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:*IRF3315LPBF
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF3315LPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 150V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262
Valua lähde jännite (Vdss):150V
Kuvaus:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit