Ostaa IRF3515L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF3515L
- Osa numero:
- IRF3515L
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15070 Pieces
- Tietolomake:
- IRF3515L.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3515L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3515L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | *IRF3515L |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF3515L |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF3515L
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STF28N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP | tiedustelu |
 |
CSD25481F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | tiedustelu |
 |
IRF3515STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3515S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3515STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3515STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3575DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN | tiedustelu |
 |
SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-89-6 | tiedustelu |
 |
STB16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3546MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | tiedustelu |
 |
IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | tiedustelu |
 |
STW19NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers