IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF
Osa numero:
IRF6729MTR1PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18411 Pieces
Tietolomake:
IRF6729MTR1PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6729MTR1PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6729MTR1PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6729MTR1PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 150µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET™ MX
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.8 mOhm @ 31A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.8W (Ta), 104W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric MX
Muut nimet:IRF6729MTR1PBFTR
SP001524728
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF6729MTR1PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6030pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 190A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit