IRF8113PBF
IRF8113PBF
Osa numero:
IRF8113PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19137 Pieces
Tietolomake:
IRF8113PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF8113PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF8113PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF8113PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SP001572234
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF8113PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2910pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit