IRF820L
IRF820L
Osa numero:
IRF820L
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12928 Pieces
Tietolomake:
IRF820L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF820L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF820L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF820L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 1.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 50W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:*IRF820L
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF820L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit