IRFD9210PBF
IRFD9210PBF
Osa numero:
IRFD9210PBF
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12537 Pieces
Tietolomake:
IRFD9210PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFD9210PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFD9210PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFD9210PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 240mA, 10V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Muut nimet:*IRFD9210PBF
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFD9210PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.9nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 200V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:400mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit