Ostaa IRFH5215TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (5x6) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 16A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-VQFN Exposed Pad |
Muut nimet: | IRFH5215TRPBF-ND IRFH5215TRPBFTR SP001554700 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRFH5215TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta), 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |