IRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF
Osa numero:
IRFH7932TR2PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17147 Pieces
Tietolomake:
IRFH7932TR2PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFH7932TR2PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFH7932TR2PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFH7932TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PQFN (5x6) Single Die
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.3 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.4W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:IRFH7932TR2PBFDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFH7932TR2PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4270pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 104A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit