IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF
Osa numero:
IRFH8201TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14483 Pieces
Tietolomake:
IRFH8201TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFH8201TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFH8201TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFH8201TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-PQFN (5x6)
Sarja:HEXFET®, StrongIRFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:0.95 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:IRFH8201TRPBF-ND
IRFH8201TRPBFTR
SP001577876
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFH8201TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:7330pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:111nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:49A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit