IRFHM831TR2PBF
IRFHM831TR2PBF
Osa numero:
IRFHM831TR2PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16609 Pieces
Tietolomake:
IRFHM831TR2PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFHM831TR2PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFHM831TR2PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFHM831TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PQFN (3x3)
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.8 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 27W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:IRFHM831TR2PBFDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFHM831TR2PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit