IRLL2705TR
Osa numero:
IRLL2705TR
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19585 Pieces
Tietolomake:
IRLL2705TR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRLL2705TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLL2705TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRLL2705TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-223
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 3.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRLL2705TR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit