IXFE73N30Q
IXFE73N30Q
Osa numero:
IXFE73N30Q
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15038 Pieces
Tietolomake:
IXFE73N30Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFE73N30Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFE73N30Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFE73N30Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:46 mOhm @ 36.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):400W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFE73N30Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:190nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 300V 66A 400W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Valua lähde jännite (Vdss):300V
Kuvaus:MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:66A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit