IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
Osa numero:
IXFN66N50Q2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13330 Pieces
Tietolomake:
IXFN66N50Q2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN66N50Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN66N50Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN66N50Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):735W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFN66N50Q2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:199nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 66A 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:66A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit