Ostaa IXFR40N90P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFR40N90P
- Osa numero:
- IXFR40N90P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15277 Pieces
- Tietolomake:
- IXFR40N90P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR40N90P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR40N90P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 230 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS247™ |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFR40N90P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 21A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFR40N90P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
BUK9616-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3007SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | tiedustelu |
 |
SI1413DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 | tiedustelu |
|
IRF5210SPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | tiedustelu |
 |
STB10N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | tiedustelu |
|
VP0300B-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205 | tiedustelu |
|
IXFR44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR40N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR44N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR48N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR44N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR44N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
IPW60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | tiedustelu |
|
IXFR44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
RZL025P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 | tiedustelu |
 |
IXTA100N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 | tiedustelu |
|
IXFR48N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers