IXTQ182N055T
IXTQ182N055T
Osa numero:
IXTQ182N055T
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16876 Pieces
Tietolomake:
IXTQ182N055T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTQ182N055T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTQ182N055T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTQ182N055T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:TrenchMV™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):360W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXTQ182N055T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:114nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:182A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit