IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
Osa numero:
IXTQ52N30P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16767 Pieces
Tietolomake:
IXTQ52N30P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTQ52N30P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTQ52N30P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTQ52N30P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:PolarHT™
RDS (Max) @ Id, Vgs:66 mOhm @ 26A, 10V
Tehonkulutus (Max):400W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTQ52N30P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 300V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):300V
Kuvaus:MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit