JANTXV1N4150-1
JANTXV1N4150-1
Osa numero:
JANTXV1N4150-1
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12999 Pieces
Tietolomake:
JANTXV1N4150-1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV1N4150-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV1N4150-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV1N4150-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1V @ 200mA
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):50V
Toimittaja Device Package:DO-35
Nopeus:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/231
Käänteinen Recovery Time (TRR):4ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:DO-204AH, DO-35, Axial
Muut nimet:1086-15552-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:JANTXV1N4150-1
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:100nA @ 50V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):200mA
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit