JANTXV1N5551US
Osa numero:
JANTXV1N5551US
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13435 Pieces
Tietolomake:
JANTXV1N5551US.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV1N5551US, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV1N5551US sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV1N5551US BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.2V @ 9A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):400V
Toimittaja Device Package:D-5B
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/420
Käänteinen Recovery Time (TRR):2µs
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, B
Muut nimet:1086-19413
1086-19413-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:JANTXV1N5551US
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:1µA @ 400V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):3A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit