JANTXV1N5804URS
Osa numero:
JANTXV1N5804URS
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15775 Pieces
Tietolomake:
JANTXV1N5804URS.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV1N5804URS, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV1N5804URS sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV1N5804URS BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:875mV @ 1A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):100V
Toimittaja Device Package:A-MELF
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/477
Käänteinen Recovery Time (TRR):25ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, A
Muut nimet:1086-19434
1086-19434-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:JANTXV1N5804URS
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:1µA @ 100V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1A
Kapasitanssi @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit