JANTXV2N6770
Osa numero:
JANTXV2N6770
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18472 Pieces
Tietolomake:
JANTXV2N6770.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV2N6770, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV2N6770 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV2N6770 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-204AE (TO-3)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/543
RDS (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):4W (Ta), 150W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-204AE
Muut nimet:JANTXV2N6770-MIL
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:JANTXV2N6770
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit