MJD122G
MJD122G
Osa numero:
MJD122G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17543 Pieces
Tietolomake:
MJD122G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä MJD122G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma MJD122G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa MJD122G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
Virta - Max:1.75W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:MJD122G-ND
MJD122GOS
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:25 Weeks
Valmistajan osanumero:MJD122G
Taajuus - Siirtyminen:4MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Kuvaus:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):10µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit